真空壓力計作為測量低于大氣壓環(huán)境壓力的核心設備，廣泛應用于半導體制造、真空鍍膜、航天試驗等領域。其工作原理基于壓力-物理量轉換機制，通過機械形變、電學特性或光學變化實現(xiàn)壓力的精準量化，為真空系統(tǒng)提供關鍵數(shù)據(jù)支持。
1.波登管結構：采用C形或螺旋形金屬波登管，當真空環(huán)境壓力變化時，管體因內外壓差產生彈性形變。例如，在10?³ Torr（約1.3×10?³ Pa）的低壓環(huán)境中，波登管端部位移可達0.5mm，通過齒輪傳動機構將形變放大并轉化為指針讀數(shù)。
2.膜片式傳感器：利用圓形金屬膜片在壓差作用下的撓曲變形測量壓力。某型號膜片真空計在0.1-1000 Torr范圍內線性度優(yōu)于±0.5%，適用于化工蒸餾系統(tǒng)的粗真空監(jiān)測。
3.機械式局限：受材料彈性疲勞與溫度影響，長期使用需定期校準。例如，不銹鋼膜片在-20℃至80℃環(huán)境中，因熱膨脹系數(shù)差異可能導致測量誤差達3%。
二、電離式真空壓力計：氣體分子的“電離計數(shù)器”
1.熱陰極電離規(guī)：通過加熱鎢絲發(fā)射電子，電子與氣體分子碰撞使其電離，離子流強度與壓力成正比。例如，在10?? Torr高真空環(huán)境中，某型號熱陰極規(guī)可檢測到10?¹³ A的微弱離子流，分辨率達0.1%。
2.冷陰極磁控規(guī)：利用高壓電場與磁場使氣體分子電離，無需加熱元件，適用于高溫或輻射環(huán)境。其測量范圍覆蓋10?²至10?? Torr，但需避免強磁場干擾。
3.電離式優(yōu)勢：可測量極低壓力（10?¹¹ Torr量級），但需嚴格防油污，且燈絲壽命受電子轟擊影響，通常為2000-5000小時。
三、壓阻/電容式真空壓力計：半導體技術的微型化突破
1.壓阻式傳感器：基于硅基MEMS工藝，壓力變化導致惠斯通電橋電阻失衡，輸出電壓與壓力呈線性關系。某型號壓阻真空計響應時間小于10ms，適用于真空包裝機的快速壓力檢測。
2.電容式真空計：通過極板間距變化改變電容值，溫度漂移系數(shù)低至0.01%/℃。例如，在半導體刻蝕設備中，電容真空計可穩(wěn)定監(jiān)測10?? Torr級壓力波動，確保工藝重復性。
3.集成化趨勢：現(xiàn)代真空計常集成溫度補償與數(shù)字校準功能，如某型號智能真空計內置MCU，通過算法修正非線性誤差，精度提升至±0.25% FS。
真空壓力計的技術演進始終圍繞精度、量程與可靠性展開。從機械結構的經典設計到半導體傳感器的微型化創(chuàng)新，不同原理的真空計各展所長。例如，在光伏電池生產中，需結合熱陰極電離規(guī)（高真空段）與電容真空計（中低真空段）實現(xiàn)全量程覆蓋，確保PECVD鍍膜工藝的真空度穩(wěn)定在5×10?? Torr。隨著工業(yè)4.0對真空系統(tǒng)智能化需求的增長，具備物聯(lián)網通信功能的真空壓力計將成為新一代工業(yè)標準。
